RU190N08S دیتاشیت

RU190N08S

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RU190N08S
حجم فایل 73.042 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت RU190N08S

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Shenzhen ruichips Semicon RU190N08S
  • Power Dissipation (Pd): 312W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 80V
  • Continuous Drain Current (Id): 190A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.8mΩ@10V,40A
  • Package: TO-263-2
  • Manufacturer: Shenzhen ruichips Semicon

محصولات مشابه